Разработана технология, позволяющая устранить дефекты материалов одноатомной толщины - «Наука и технологии»

Различные материалы одноатомной толщины, в том числе и полупроводники, считаются самыми перспективными материалами для изготовления светодиодных дисплеев, солнечных батарей и крошечных транзисторов. Но, широкому внедрению таких материалов препятствует в большинстве случаев отсутствие технологий производства таких материалов в промышленных масштабах. А если такие технологии и существуют, то получаемые при их помощи материалы имеют достаточно большое количество дефектов, которые пагубно влияют на их электронные и оптические характеристики. Группа исследователей из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории имени Лоуренса разработали технологию, которая сделает возможным применение одноатомных полупроводниковых материалов в самом ближайшем времени. Ведь эта технология позволяет обнаружить и устранить практически все виды дефектов материала, возникших в ходе его производства.

Для обнаружения и устранения дефектов пленка дисульфида молибдена (MoS2) была помещена в раствор одной из сильных органических кислот. Эта кислота, активированная при помощи дополнительных уловок, удалила с поверхности загрязнения, извлекла посторонние атомы примесей из кристаллической решетки дисульфида молибдена и заполнила образованные пустоты недостающими атомами при помощи химического процесса, называемого протонацией (protonation). В результате фотолюминесцентная эффективность материала увеличилась от 1 до 100 процентов.