Ученые научились выращивать транзисторы и электронные схемы атомарной толщины из графена и молибденита - «Наука и технологии»
Транзисторы и электронные схемы атомарной толщины из графена и дисульфида молибдена (молибденита, MoS2) теперь могут быть собраны химическим путем, что подразумевает возможность их крупномасштабного производства. Для сравнения, все предыдущие подобные технологии изготовления электронных компонентов
Транзисторы и электронные схемы атомарной толщины из графена и дисульфида молибдена (молибденита, MoS2) теперь могут быть собраны химическим путем, что подразумевает возможность их крупномасштабного производства. Для сравнения, все предыдущие подобные технологии изготовления электронных компонентов вовлекали необходимость точного размещения предварительно отформованных компонентов из двухмерных материалов на поверхности чипа. Это, с учетом микроскопического масштаба действий, представляет собой весьма сложную и дорогостоящую технологическую операцию, которая выступает в качестве "тормоза" развития данного направления электроники.
Ученые считают, что использование электронных приборов, изготовленных из материалов одноатомной толщины, позволит закону Гордона Мура продержаться еще достаточно длительное время, чего уже невозможно будет добиться при использовании компонентов чипов из традиционного кремния. "Основным "двигателем", обеспечившим развитие области нанотехнологий, стали поиски материалов, которые способны заменить кремний и обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура" - рассказывает Сян Занг (Xiang Zhang), ученый-материаловед из Калифорнийского университета в Беркли.
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются
Смотрите также
из категории "Технологии"