Ученые научились управлять сверхпроводимостью при помощи света - «Наука и технологии»

Исследовательская группа из Института молекулярных наук (Institute for Molecular Science) японского Национального института естественных наук (National Institutes of Natural Sciences), возглавляемая профессором Хироши М. Ямамото (Prof. Hiroshi M. Yamamoto), разработала новый тип полевого транзистора, работающего за счет эффекта сверхпроводимости и который может быть включен или выключен при помощи освещения некоторых элементов его структуры. Данное достижение может послужить основой для создания новых высокоскоростных переключающих устройств, высокочувствительных оптических датчиков и других устройств, где требуется быстродействующая коммутация протекающего электрического тока.

Напомним нашим читателям, что полевые транзисторы (Field-Effect Transistor, FET) являются базовыми переключающими устройствами, на основе которых создаются все нынешние цифровые схемы, включая и схемы процессоров, работающих в наших компьютерах и смартфонах. Совершенствованию этих транзисторов и улучшению их характеристик было посвящено множество исследований, проводимых за последние годы. Одним из направлений такого совершенствования является создание полевых транзисторов, работающих за счет эффекта высокотемпературной сверхпроводимости, которые наилучшим образом подходят для их использования в технологиях квантовых вычислений для обеспечения связи "призрачного" квантового мира с миром, в котором действуют законы классической физики.

Упомянутая выше исследовательская группа еще в 2013 году разработала сверхпроводящий полевой транзистор, основанный на органическом сверхпроводящем материале, имеющем неудобочитаемое и неудобопроизносимое название k-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br (k-Br). А недавно, взяв за основу результаты своих прошлых исследований, эти ученые изготовили опытные образцы подобных полевых транзисторов, которые можно включить или выключить при помощи луча света.