Компании Intel и Micron представляют 3D XPoint - совершенно новый тип памяти - «Наука и технологии»

Известные компании Intel и Micron представили вниманию общественности то, что, по их мнению, может совершить "революционный переворот" в современных технологиях хранения информации. Представленная ими технология, имеющая название 3D XPoint, представляет собой технологию нового типа энергонезависимой памяти, которая будет в 1000 раз быстрей, в 1000 раз надежней, нежели современная NAND флэш-память, и будет иметь в 10 раз больший показатель плотности хранения информации, нежели DRAM-память.

Согласно имеющейся информации первые образцы чипов 3D XPoint памяти будут выпущены позже в этом году, но пока нет никакой точной информации касательно дальнейших планов компаний относительно начала масштабного производства чипов памяти нового типа. Однако, представители компаний сообщают, что технологии производства памяти 3D XPoint вполне совместимы с существующими технологическими процессами и стоимость такой памяти в условиях массового производства позволит ее использование даже в устройствах потребительского класса. Следует заметить, что память 3D XPoint является далеко не единственной альтернативой для замены памяти DRAM и Flash-NAND, но другие альтернативные варианты пока еще слишком дороги для того, чтобы составить им конкуренцию.

Из крошек технической информации, которая касается памяти 3D XPoint, известно, что она имеет архитектуру, в которой ячейки памяти, не имеющие в своем составе транзисторов, находятся в точках пресечения шин адреса и данных. В отличие от памяти типа DRAM и Flash-NAND, ячейки памяти 3D XPoint не используют электрических зарядов для хранения данных, в них используется, судя по некоторым предположениям, нечто наподобие мемристоров.

Благодаря новой технологии, информация в каждой ячейке 3D XPoint памяти может быть записана или прочитана при помощи определенного электрического потенциала, приложенного к соответствующим разрядам шины данных и шины адреса. А отсутствие в составе ячейки памяти управляющих транзисторов позволило сократить размеры самой ячейки и увеличить показатель плотности хранения информации.