Создан новый тип памяти, работающий за счет изменений формы молекул - «Наука и технологии»

Современные CMOS-технологии, используемые для производства чипов и полупроводниковых приборов, уже вплотную приближаются к атомарному уровню. В соответствии с этим, к такому же уровню должны "подтягиваться" и другие технологии, что позволит размещать на кристаллах гибридных чипов как традиционные полупроводниковые компоненты, так и компоненты на основе различных экзотических материалов. Одним из таких компонентов может стать новый вид молекулярной памяти, разработанный специалистами из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории имени Лоуренса. Ячейка такой памяти представляет собой молекулу, состоящую из нескольких атомов, а принцип работы этой ячейки основан на изменении формы молекулы в результате воздействия на нее электрическим током.

В данной технологии используется метод инжекции электронов. Но вместо того, чтобы насытить электроды крохотного конденсатора, изменить направление спина или сделать что-то другое, электрический ток изменяет кристаллическую структуру прозрачного слоя дителлурида молибдена (MoTe2). Изменения кристаллической структуры носят полностью обратимый характер, а один из двух видов кристаллической структуры соответствует значению 0 или 1, записанных в эту ячейку памяти. При этом, для изменения кристаллической структуры материала требуется гораздо меньшее количество энергии, чем для переключения ячейки памяти на основе эффекта фазовых переходов.