Новая терагерцовая технология позволяет "заглянуть" внутрь кристаллов полупроводниковых чипов - «Наука и технологии»

Группа ученых из университета Эксетера (University of Exeter), университета Глазго (University of Glasgow) и компании QinetiQ разработала технологию, которая позволяет видеть сквозь кремниевые подложки и производить поиски крошечных дефектов, возникших в ходе производства кристаллов полупроводниковых чипов. В качестве доказательства работоспособности технологии ученые произвели изучение кремниевого кристалла с подложкой, толщиной 115 микрометров, а дефекты были обнаружены за счет регистрации аномалий в движении электронов в полупроводниковом материале, которое возникает под воздействием терагерцового излучения.

Токопроводящий кремний является прозрачным для терагерцового излучения, излучения, находящегося между инфракрасном и микроволновым диапазонами электромагнитного спектра, с длинами волн от 150 нанометров до 1.5 миллиметров. Просветив, словно рентгеном, терагерцовыми лучами область кристалла чипа, размерами 2 на 2 миллиметра, ученые получили достаточно точное изображение структуры кристалла, на котором было видно даже мельчайшие дефекты.

Структура устройства терагерцовой съемки