Ученым впервые удалось обеспечить контакт между тончайшими полупроводниковыми и сверхпроводящими элементами - «Наука и технологии» » Экономические новости.
Экономические новости. » Экономические новости » Технологии » Ученым впервые удалось обеспечить контакт между тончайшими полупроводниковыми и сверхпроводящими элементами - «Наука и технологии»
Ученым впервые удалось обеспечить контакт между тончайшими полупроводниковыми и сверхпроводящими элементами - «Наука и технологии»
Исследователи из университета Базеля (University of Basel) объявили о том, что им удалось оборудовать сверхтонкий полупроводниковый элемент контактами из сверхпроводящего материала. Все использованные материалы имеют толщину всего лишь в несколько атомов, за счет чего им присущи совершенно новые
Гетероструктура

Исследователи из университета Базеля (University of Basel) объявили о том, что им удалось оборудовать сверхтонкий полупроводниковый элемент контактами из сверхпроводящего материала. Все использованные материалы имеют толщину всего лишь в несколько атомов, за счет чего им присущи совершенно новые электронные и оптические свойства. И такое объединение полу- и сверхпроводников должно послужить причиной возникновения совершенно новых квантовых явлений, которые, без сомнения, найдут применение в квантовых технологиях.

Напомним нашим читателям, что полупроводниковые материалы являются основной базой современной электроники, эти материалы используются практически везде, начиная от "умного" утюга и заканчивая космическими аппаратами. Поэтому сейчас ученые уделяют большое внимание поиску и исследованиям новых полупроводников, делая особый акцент на условно двумерных материалах, которые можно накладывать друг на друга и формировать из них трехмерные структуры.

Одним из методов, который используется для создания трехмерных структур из двумерных материалов, является использование сил Ван-дер-Ваальса, которые обеспечивают взаимное притяжение слоев разнородных материалов. А созданные при помощи такого метода структуры имеют название гетероструктур Ван-дер-Ваальса.

В своих исследованиях ученым из университета Базеля удалось создать трехслойную гетероструктуру Ван-дер-Ваальса, основой которой является слой полупроводникового материала - дисульфида молибдена. Но самым примечательным является то, что к слою дисульфида молибдена, который выступает в роли канала полевого транзистора, подключены электроды (сток и исток), изготовленные из сверхпроводящего материала - сплава молибдена-рения (MoRe). А электрический контакт между пленкой полупроводника и сверхпроводящими контактами обеспечивается также за счет сил Ван-дер-Ваальса.

Представленное ниже видео в общих чертах описывает данное достижение. А в ближайшем времени ученые планируют изучить созданные ими структуры с целью определения новых свойств и экзотических физических явлений, которые возникают в местах контакта столь разнородных материалов, после чего уже можно будет начинать думать о практическом применении всего этого.


{full-story limit="10000"}
Ctrl
Enter
Заметили ошЫбку?
Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter
Мы в
Комментарии
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются
Комментариев еще нет. Вы можете стать первым!
Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив


       
Экономические новости