Компании Nantero и Fujitsu готовятся к началу производства энергонезависимой памяти NRAM на основе углеродных нанотрубок - «Наука и технологии»

Компании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по 55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на свет уже в 2018 году.

Благодаря применению углеродных нанотрубок память NRAM обладает поистине выдающимися характеристиками. Она обладает быстродействием, сопоставимым с быстродействием динамической памяти DRAM, что в тысячу раз быстрее традиционной NAND Flash-памяти. О высокой надежности NRAM-памяти говорит то, что она обеспечивает сохранность данных на протяжении 1000 лет при температуре окружающей среды не выше 85 градусов Цельсия, а при температуре до 300 градусов Цельсия срок хранения данных снижается до 10 лет. Рабочее напряжение ячеек NRAM-памяти составляет 1 Вольт, а количество циклов перезаписи измеряется сотнями миллиардов. Новая память производится по стандартной CMOS-технологии и в перспективе размер каждой ячейки может быть уменьшен до 5 нанометров.