Транзисторы нового типа могут быть использованы для производства высокопроизводительной и высокоэффективной гибкой электроники - «Наука и технологии» » Экономические новости.
Экономические новости. » Экономические новости » Технологии » Транзисторы нового типа могут быть использованы для производства высокопроизводительной и высокоэффективной гибкой электроники - «Наука и технологии»
Транзисторы нового типа могут быть использованы для производства высокопроизводительной и высокоэффективной гибкой электроники - «Наука и технологии»
Группа инженеров из университета Висконсина-Мадисона (University of Wisconsin-Madison) создала, с их слов, "самый функциональный и быстродействующий тонкопленочный транзистор в мире". Помимо обладания высокими электрическими показателями, такие транзисторы могут производиться при помощи быстрых,
Гибкая подложка с BiCMOS-транзисторами

Группа инженеров из университета Висконсина-Мадисона (University of Wisconsin-Madison) создала, с их слов, "самый функциональный и быстродействующий тонкопленочный транзистор в мире". Помимо обладания высокими электрическими показателями, такие транзисторы могут производиться при помощи быстрых, простых и недорогих методов производства, которые могут быть легко расширены до масштабов массового промышленного производства. Данное достижение позволит разработчикам в скором будущем создавать новые передовые носимые и мобильные устройства, обладающие высокими интеллектуальными способностями и способными сохранять свою работоспособность при сжатии, растяжении и других видах деформации.

Новый тонкопленочный транзистор изготавливается по BiCMOS-технологии (bipolar complementary metal oxide semiconductor). Эти транзисторы обладают высоким быстродействием, способны пропускать через себя достаточно большой ток, работать при относительно высоком напряжении и имеют малое переходное сопротивление, что позволяет снизить количество энергии, тратящейся впустую в виде выделяемого тепла. При этом, вся структура транзистора наносится на поверхность подложки кремниевой наномембраны в ходе одноэтапного процесса высокотемпературной обработки.

BiCMOS-транзисторы

{full-story limit="10000"}
Ctrl
Enter
Заметили ошЫбку?
Выделите текст и нажмите Ctrl+Enter
Мы в
Комментарии
Минимальная длина комментария - 50 знаков. комментарии модерируются
Комментариев еще нет. Вы можете стать первым!
Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив


       
Экономические новости